Na década de 1950, Jack Kilby e Robert Noyce criaram um dispositivo capaz de conter milhões de transistores por mm², produzindo transformações na eletrônica. Um dos processos utilizados para a fabricação de circuitos integrados à base de SiO₂ fundamenta-se na reação de Si com O₂ com emprego de temperaturas que variam de 1000 a 1200 °C, quando um rendimento ótimo é atingido. O filme de SiO₂ pode ser obtido expondo o silício a alta temperatura em um ambiente contendo oxigênio de alta pureza ou usando-se vapor de água.

Com base no exposto, assinale a alternativa correta.